Rengel, Raúl: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (41)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Experiences on the Design, Creation, and Analysis of Multimedia Content to Promote Active Learning

Rengel, Raúl, Pascual, Elena, Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio, Martín, María J., Vasallo, Beatriz G.

Журнал:

Journal of Science Education and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 241 KB

english, 2019

RF dynamic and noise performance of Metallic Source/Drain SOI n-MOSFETs

Maria J. Martin, Elena Pascual, Raúl Rengel

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2012

A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs

Raul Rengel, Martin, M.J., Gonzalez, T., Mateos, J., Pardo, D., Dambrine, G., Raskin, J.-P., Danneville, F.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 757 KB

english, 2006

Microscopic Modeling of RF Noise in Laterally Asymmetric Channel MOSFETs

Rengel, Raúl, Martin, María J., Danneville, François

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 156 KB

english, 2011

A Monte Carlo investigation of the RF performance of partially-depleted SOI MOSFETs

Rengel, Raúl, Martín, María J, Dambrine, Gilles, Danneville, François

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 239 KB

english, 2006

Towards the nanoscale: influence of scaling on the electronic transport and small-signal behaviour of MOSFETs

Rengel, Raúl, Pardo, Daniel, Martín, María Jesús

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 2004

[IEEE 2013 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Valladolid, Spain (2013.02.12-2013.02.14)] 2013 Spanish Conference on Electron Devices - A Monte Carlo Study of electron transport in suspended monolayer graphene

Rengel, Raul, Couso, Carlos, Martin, Maria J.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2013

[IEEE 2013 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Valladolid, Spain (2013.02.12-2013.02.14)] 2013 Spanish Conference on Electron Devices - Space quantization effects in double gate SB-MOSFETs: Role of the active layer thickness

Garcia, Jose S., Martin, Maria J., Rengel, Raul

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 868 KB

english, 2013

[IEEE 2007 Spanish Conference on Electron Devices - Madrid, Spain (2007.01.31-2007.02.2)] 2007 Spanish Conference on Electron Devices - Monte Carlo analysis of tunneling and thermionic transport in a reverse biased Schottky diode

Pascual, Elena, Rengel, Raul, Martin, Maria J.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.11 MB

english, 2007

[IEEE 2013 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Valladolid, Spain (2013.02.12-2013.02.14)] 2013 Spanish Conference on Electron Devices - Schottky Barrier MOSFETs working in the linear regime: A Monte Carlo study of microscopic transport

Causa, Carlos, Rengel, Raul, Martin, Maria J.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 728 KB

english, 2013

[IEEE 2012 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS) - Playa del Carmen, Mexico (2012.03.14-2012.03.17)] 2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS) - Effect of the dopant segregation layer on the static characteristics of Schottky-barrier n-MOSFETs

Couso, Carlos, Pascual, Elena, Galeote, Jose M., Martin, Maria J., Rengel, Raul

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 608 KB

english, 2012

Supervised Coursework as a Way of Improving Motivation in the Learning of Digital Electronics

Rengel, Raúl, Martin, María J., Vasallo, Beatriz G.

Журнал:

IEEE Transactions on Education

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 275 KB

english, 2012

[IEEE 2013 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) - Montpellier, France (2013.06.24-2013.06.28)] 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) - Velocity and momentum fluctuations in suspended monolayer graphene

Martin, Maria J., Couso, Carlos, Rengel, Raul

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 447 KB

english, 2013

Harmonic distortion in laterally asymmetric channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors operating in the linear regime

Rengel, Raúl, Martín, María J.

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.18 MB

english, 2014

[IEEE 2009 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Santiago de Compostela, Spain (2009.02.11-2009.02.13)] 2009 Spanish Conference on Electron Devices - Current drive in n-type Schottky Barrier MOSFETs: a Monte Carlo study

Pascual, Elena, Rengel, Raul, Martin, Maria J.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.83 MB

english, 2009

[IEEE 2009 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Santiago de Compostela, Spain (2009.02.11-2009.02.13)] 2009 Spanish Conference on Electron Devices - Comparative study of Laterally Asymmetric Channel and conventional MOSFETs

Rengel, Raul, Martin, Maria J., Danneville, Francois

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 223 KB

english, 2009

[IEEE 2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) - Toronto, ON, Canada (2011.06.12-2011.06.16)] 2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations - Influence of the underlap length on the RF noise performance of a Schottky Barrier MOSFET

Pascual, Elena, Rengel, Raul, Martin, Maria J.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 277 KB

english, 2011

[IEEE 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Palma de Mallorca, Spain (2011.02.8-2011.02.11)] Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 - A Monte Carlo model for the study of n-type strained Silicon Schottky diodes

Galeote, Jose Mo, Rengel, Raul, Pascual, Elena, Martin, Maria J.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 555 KB

english, 2011

[IEEE 2007 Spanish Conference on Electron Devices - Madrid, Spain (2007.01.31-2007.02.2)] 2007 Spanish Conference on Electron Devices - Monte Carlo analysis of carrier transport from diffusive to ballistic regime in nanometer SOI MOSFETs

Martin, Maria J., Rengel, Raul, Pascual, Elena, Gonzalez, Tomas

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.74 MB

english, 2007

[IEEE 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Palma de Mallorca, Spain (2011.02.8-2011.02.11)] Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 - Monte Carlo simulation of graded-channel fully depleted SOI nMOSFETs

Martin, Maria J., Rengel, Raul, Galeote, Jose M., de Souza, Michelly, Pavanello, Marcelo A.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 124 KB

english, 2011

ON THE INFLUENCE OF SPACE-QUANTIZATION EFFECTS ON THE RF NOISE BEHAVIOUR OF DG MOSFETS

RENGEL, RAUL, GONZALEZ, TOMAS, MARTIN, MARIA J.

Журнал:

Fluctuation and Noise Letters

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 321 KB

english, 2004

Microscopic modelling of reverse biased Schottky diodes: influence of non-equilibrium transport phenomena

Pascual, Elena, Rengel, Raúl, Martín, María J

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 259 KB

english, 2007

Monte Carlo Study of Dopant-Segregated Schottky Barrier SoI MOSFETs: Enhancement of the RF Performance

Martin-Martinez, Maria J., Couso, Carlos, Pascual, Elena, Rengel, Raul

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.09 MB

english, 2014

[IEEE 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Aranjuez - Madrid, Spain (2015.2.11-2015.2.13)] 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Monte Carlo modeling of mobility and microscopic charge transport in supported graphene

Rengel, Raul, Iglesias, Jose M., Pascual, Elena, Martin, Maria J.

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.80 MB

english, 2015

[IEEE 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Aranjuez - Madrid, Spain (2015.2.11-2015.2.13)] 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Influence of systematic gate alignment variations on static characteristics in DG-SB-MOSFETs

Iglesias, Jose M., Martin, Maria J., Pascual, Elena, Rengel, Raul

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 703 KB

english, 2015

Enhanced carrier injection in Schottky contacts using dopant segregation: a Monte Carlo research

Pascual, Elena, Martín, María J, Rengel, Raúl, Larrieu, Guilhem, Dubois, Emmanuel

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 2009

SPIE Proceedings [SPIE Second International Symposium on Fluctuations and Noise - Maspalomas, Gran Canaria Island, Spain (Tuesday 25 May 2004)] Noise in Devices and Circuits II - Monte Carlo particle-based simulation of DG MOSFETs: influence of space-quantization effects on the high-frequency noise

Danneville, Francois, Rengel, Raul, Gonzalez, Tomas, Bonani, Fabrizio, Deen, M. Jamal, Martin, Maria J., Levinshtein, Michael E.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 287 KB

english, 2004

Noise temperature in graphene at high frequencies

Rengel, Raúl, Iglesias, José M, Pascual, Elena, Martín, María J

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2016

SPIE Proceedings [SPIE Second International Symposium on Fluctuations and Noise - Maspalomas, Gran Canaria Island, Spain (Tuesday 25 May 2004)] Noise in Devices and Circuits II - Influence of 2D electrostatic effects on the high-frequency noise behavior of sub-100-nm scaled MOSFETs

Danneville, Francois, Rengel, Raul, Pardo, Daniel, Bonani, Fabrizio, Deen, M. Jamal, Martin, Maria J., Levinshtein, Michael E.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 388 KB

english, 2004

SPIE Proceedings [SPIE SPIE's First International Symposium on Fluctuations and Noise - Santa Fe, NM (Sunday 1 June 2003)] Noise in Devices and Circuits - High-frequency noise in FDSOI MOSFETs: a Monte Carlo investigation

Rengel, Raul, Deen, M. Jamal, Celik-Butler, Zeynep, Mateos, Javier, Pardo, Daniel, Levinshtein, Michael E., Gonzalez, Tomas, Martin, Maria Jesus, Dambrine, Gilles, Danneville, Francois, Raskin, Jean-P

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 150 KB

english, 2003

SPIE Proceedings [SPIE SPIE OPTO - San Francisco, California, United States (Saturday 28 January 2017)] Ultrafast Phenomena and Nanophotonics XXI - High harmonic generation in graphene: temporal and spectral properties

Betz, Markus, Elezzabi, Abdulhakem Y., Zurrón, Óscar, Iglesias, Jose Manuel, Rengel, Raúl, Martín, María Jesús, Plaja, Luis

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 673 KB

english, 2017

A balance equations approach for the study of the dynamic response and electronic noise in graphene

Rengel, Raúl, Iglesias, José M., Pascual, Elena, Martín, María J.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.65 MB

english, 2017

[IEEE 2017 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Barcelona, Spain (2017.2.8-2017.2.10)] 2017 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - A combined Monte Carlo-balance equations investigation of the high frequency response of graphene

Rengel, Raul, Iglesias, Jose M., Pascual, Elena, Martin, Maria J.

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 476 KB

english, 2017

Interplay of out-of-equilibrium phonons and self-heating under high field transport conditions in graphene

Iglesias, José M., Rengel, Raul, Hamham, El Mokhtar, Pascual, Elena, Martin, Maria

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2017

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: radio-frequency stability as a limiting factor

Feijoo, Pedro C, Pasadas, Francisco, Iglesias, José M, Martín, María J, Rengel, Raúl, Li, Changfeng, Kim, Wonjae, Riikonen, Juha, Lipsanen, Harri, Jiménez, David

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.14 MB

english, 2017

Damping of acoustic flexural phonons in silicene: influence on high-field electronic transport

Rengel, Raul, Iglesias, José M., Hamham, El Mokhtar, Martin, Maria J

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2018

[IEEE 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe (CLEO/Europe) & European Quantum Electronics Conference (EQEC) - Munich (2017.6.25-2017.6.29)] 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC) - High order harmonic generation in graphene

Zurron, Oscar, Iglesias, Jose Manuel, Rengel, Raul, Martin, Maria Jesus, Plaja, Luis

Рік:

2017

Файл:

PDF, 583 KB

2017

Impact of the hot phonon effect on electronic transport in monolayer silicene

Hamham, El Mokhtar, Iglesias, José M., Pascual, Elena, Martin, Maria J, Rengel, Raul

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 679 KB

english, 2018

Monte Carlo investigation of noise and high-order harmonic extraction in graphene

Iglesias, José M., Hamham, El Mokhtar, Pascual, Elena, Rengel, Raul

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.18 MB

english, 2018

Interband scattering-induced ambipolar transport in graphene

Iglesias, José M., Pascual, Elena, Hamham, El Mokhtar, Martin, Maria J, Rengel, Raul

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.49 MB

english, 2019

Electronic transport and noise characterization in MoS2

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.02 MB

english, 2020